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Si4388DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
V GS = 10 thru 3 V
2.0
1.6
24
16
8
0
2V
1.2
0.8
0.4
0.0
25 °C
T J = 125 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.016
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.015
V GS = 4.5 V
2400
C iss
0.014
0.013
0.012
V GS = 10 V
1800
1200
600
C oss
0.011
0
C rss
0
8
16
24
32
40
0
6
12
18
24
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.7
1.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 8 A
6
1.3
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 10 V
0
9
18
27
36
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74344
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
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